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與熱力燃燒法相比，其所需的燃料少，能量消耗低，設備設施的體積小。在化學反應過程中，利用催化劑降低燃燒溫度，加速有毒有害氣體完全氧化的方法，叫做催化燃燒法。由于催化劑的載體是由多孔材料制作的，具有較大的比表面積和合適的孔徑，當加熱到300——450℃的有機氣體通過催化層時，氧和有機氣體被吸附在多孔材料表層的催化劑上，增加了氧和有機氣體接觸碰撞的機會，提高了活性，使有機氣體與氧產(chǎn)生劇烈的化學反應而生成CO2和H2O，同時產(chǎn)生熱量，從而使得有機氣體變成無害氣體。催化劑是一種能改變化學反應速度，而在反應前后其本身的化學性質(zhì)沒有改變的物質(zhì)。催化劑通常是由催化活性材料和催化載體構(gòu)成。催化活性材料一般是金屬或金屬氧化物。其中貴重金屬催化劑主要有鉑、鈀和釕等，普通金屬催化劑主要有銅、鉻、鎳、釩、錳、鐵、鈷等金屬及氧化物。催化載體是多孔材料，主要作用是使活性材料具有大的體表面積。




光催化是常溫深度反應技術(shù)。光催化氧化可在室溫下將水、空氣和土壤中有機污染物完全氧化成無害的產(chǎn)物，而傳統(tǒng)的高溫焚燒技術(shù)則需要在極高的溫度下才可將污染物摧毀，即使用常規(guī)的催化、氧化方法亦需要高溫,燃燒法用于處理高濃度Voc與有惡臭的化合物很有效，其原理是用過量的空氣使這些雜質(zhì)燃燒，大多數(shù)生成二氧化碳和水蒸氣，可以排放到大氣中。但當處理含氯和含硫的有機化合物時，燃燒生成產(chǎn)物中HCl或SO2，需要對燃燒后氣體進一步處理設備。 從理論上講，只要半導體吸收的光能不小于其帶隙能，就足以激發(fā)產(chǎn)生電子和空穴，該半導體就有可能用作光催化劑,常見的單一化合物光催化劑多為金屬氧化物或硫化物，如 Ti0。、Zn0、ZnS、CdS及PbS等。這些催化劑各自對特定反應有突出優(yōu)點，具體研究中可根據(jù)需要選用，如CdS半導體帶隙能較小，跟太陽光譜中的近紫外光段有較好的匹配性能，可以很好地利用自然光能，但它容易發(fā)生光腐蝕，使用壽命有限。相對而言，Ti02的綜合性能較好，是廣泛使用和研究的單一化合物光催化劑。



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